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焊球剪切測(cè)試的影響因素(三):厚膜金屬層界面挑戰(zhàn)與復(fù)合鍵合測(cè)試

 更新時(shí)間:2025-12-29 點(diǎn)擊量:190

在焊球剪切測(cè)試的復(fù)雜體系中,厚膜金屬層上的鍵合評(píng)估復(fù)合鍵合點(diǎn)的測(cè)試分析構(gòu)成了獨(dú)特的挑戰(zhàn)。這些特殊條件下的測(cè)試不僅考驗(yàn)著設(shè)備精度,更考驗(yàn)著工程師對(duì)界面特性的深刻理解。

厚膜金屬層的雙重特性

與均勻致密的薄膜不同,厚膜金屬層呈現(xiàn)出獨(dú)特的多孔結(jié)構(gòu)特征。研究表明,同等直徑焊球在厚膜上測(cè)得的剪切力通常比薄膜低15-25%,這主要?dú)w因于厚膜表面的凹坑、空洞以及可能存在的玻璃或氧化物覆蓋層。

然而,在某些特定條件下,測(cè)試結(jié)果卻呈現(xiàn)出相反趨勢(shì)。由于厚膜表面粗糙度較高,剪切工具的垂直定位需要比薄膜情況提高3-5微米。如果仍按薄膜標(biāo)準(zhǔn)定位,剪切工具可能在厚膜表面發(fā)生拖行,導(dǎo)致測(cè)得的剪切力值人為偏高10-20gf。這種現(xiàn)象解釋了為何部分文獻(xiàn)報(bào)道的厚膜剪切力數(shù)據(jù)反而高于薄膜預(yù)期值。

界面粘附性的關(guān)鍵影響

即使工具定位準(zhǔn)確,界面粘附性的差異仍會(huì)顯著影響測(cè)試結(jié)果。如圖所示,在粘附性較差的厚膜上,熱壓鍵合焊球的剪切力僅為24gf,而在正常粘附性的薄膜表面,相同尺寸焊球的剪切力可達(dá)70-80gf范圍。這種超過(guò)65%的差異直觀(guān)揭示了界面質(zhì)量對(duì)鍵合強(qiáng)度的決定性影響。

焊球剪切測(cè)試的影響因素(三):厚膜金屬層界面挑戰(zhàn)與復(fù)合鍵合測(cè)試

粘附性較差的金厚膜上熱壓鍵合焊球的剪切示例圖

在半導(dǎo)體芯片測(cè)試中,這一問(wèn)題更加復(fù)雜。鍵合過(guò)程中可能造成硅表面的微裂紋(彈坑),對(duì)這些損傷區(qū)域上的焊球進(jìn)行剪切測(cè)試,不僅會(huì)得到異常低的力值,還可能在實(shí)際測(cè)試中進(jìn)一步擴(kuò)大損傷范圍。這恰好體現(xiàn)了剪切測(cè)試的特殊價(jià)值——它能夠檢測(cè)出拉力測(cè)試無(wú)法發(fā)現(xiàn)的半導(dǎo)體損傷問(wèn)題。

復(fù)合鍵合的特殊考量

在球上球(ball-on-ball)的復(fù)合鍵合結(jié)構(gòu)中,測(cè)試評(píng)估需要更加細(xì)致的考量。研究發(fā)現(xiàn):

l           對(duì)準(zhǔn)精度的重要性:上部焊球與底部焊球的中心對(duì)齊至關(guān)重要。未對(duì)準(zhǔn)情況下,彈坑發(fā)生率增加40-50%

l           工藝參數(shù)的優(yōu)化:超聲能量的增加會(huì)顯著提高彈坑風(fēng)險(xiǎn),而將超聲能量降至低值同時(shí)升高溫度,可基本解決彈坑問(wèn)題

l           測(cè)試策略的選擇:對(duì)于復(fù)合鍵合點(diǎn),通常只需測(cè)試最薄弱的Au-Al界面即可反映整體可靠性,因?yàn)锳u-Au界面的結(jié)合強(qiáng)度往往足夠高

自動(dòng)化設(shè)備的優(yōu)勢(shì)

自動(dòng)鍵合機(jī)在復(fù)合鍵合應(yīng)用中展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢(shì)。與傳統(tǒng)手工操作相比,自動(dòng)化設(shè)備能夠:確保焊球堆疊的精準(zhǔn)對(duì)中(偏差小于5微米)保持工藝參數(shù)的一致性顯著降低彈坑發(fā)生率支持多層焊球堆疊以獲得特定高度需求

如圖所示,這些精心堆疊的復(fù)合鍵合點(diǎn)在熱循環(huán)測(cè)試中表現(xiàn)出優(yōu)異的抗疲勞特性,為倒裝芯片等先進(jìn)封裝提供了可靠的支撐結(jié)構(gòu)。

焊球剪切測(cè)試的影響因素(三):厚膜金屬層界面挑戰(zhàn)與復(fù)合鍵合測(cè)試

a)一個(gè)全焊盤(pán)都鍵合三層“球凸點(diǎn)"的芯片b)一個(gè)雙層“精準(zhǔn)定位的凸點(diǎn)/頂部削平的凸點(diǎn)"示例

面對(duì)厚膜金屬層和復(fù)合鍵合的特殊挑戰(zhàn),科準(zhǔn)測(cè)控開(kāi)發(fā)了專(zhuān)用的智能測(cè)試方案。我們的系統(tǒng)通過(guò)多層界面分析技術(shù)和智能參數(shù)優(yōu)化算法,能夠準(zhǔn)確識(shí)別不同界面層的失效模式,為厚膜電路和復(fù)合結(jié)構(gòu)的質(zhì)量評(píng)估提供可靠的技術(shù)支持。

焊球剪切測(cè)試的影響因素(三):厚膜金屬層界面挑戰(zhàn)與復(fù)合鍵合測(cè)試

在先進(jìn)封裝技術(shù)快速發(fā)展的今天,科準(zhǔn)測(cè)控致力于幫助客戶(hù)建立完善的測(cè)試體系,確保從傳統(tǒng)薄膜到復(fù)雜厚膜,從單層鍵合到多層堆疊,每一個(gè)界面都得到精準(zhǔn)評(píng)估,為產(chǎn)品的長(zhǎng)期可靠性奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。